九州网页版-九州(中国)_九州(中国)








    样片申请 | 简体中文

    【新品】上海九州网页版和数明发布2.5A兼容光(guāng)耦隔(gé)离(lí)式单通道栅(shān)极驱动器SLMi350

    2021-03-15

    SLMi350新品介绍(shào)

    SLMi350采(cǎi)用DIP8GW封装,其(qí)峰(fēng)值驱动电流能力(lì)达2.5A,通过(guò)采用业界(jiè)领(lǐng)先的双电(diàn)容隔离技(jì)术和“OOK”传输技术(shù),实现了5kVrms的隔离电压和高达10kV的(de)隔离浪涌(yǒng)电压,并(bìng)具有超过150kV/us的共模瞬(shùn)态抗扰度(CMTI),保证(zhèng)了在极(jí)端恶(è)劣工(gōng)作(zuò)环境下,可靠(kào)稳定(dìng)地工作。另外,SLMi350可广泛应(yīng)用(yòng)于电机驱动,不间(jiān)断电源(UPS),EV充电,逆变器等(děng)领域(yù)。其封装为图(tú)1所示 DIP8GW,提供大(dà)于7.0mm的爬电和间隙距离。

    4eb61f995f66eb5bd5ef6e87b7431fa.png

    图1. SLMi350封装图

    SLMi350的IGBT的驱动电路

    提供互锁保护(hù)功(gōng)能的SLMi350的IGBT驱动电路如图2所示(shì),由于同一桥臂上的两个(gè)IGBT的(de)控制信号重叠或开关器件(jiàn)本(běn)身延时过长等(děng)原因,使上下两(liǎng)个IGBT直通,桥臂短路,此时电流的上(shàng)升率和浪涌冲击(jī) 电流都很大,极易损坏IGBT。由于SLMi350支(zhī)持(chí)输(shū)入互锁保护功能,可有效防止上下管的直通问题,严(yán)格防止了臂桥短(duǎn)路引起过流(liú)情况的出现(xiàn)。

    e50e3f08dd5bc28abf06a538ffe163c.jpg

    图2. 提(tí)供互锁保护(hù)功能的(de)SLMi350的IGBT驱动电路

    SLMi350的显(xiǎn)著(zhe)优势

    通(tōng)过如图3所示的性能比较可以(yǐ)看出, SLMi350和市场上主流(liú)的国际大厂的光(guāng)耦隔离驱动或是电容隔(gé)离驱动(dòng)相比,优势极(jí)为显著:

    • 输入端抗负压能力更强;

    • 输(shū)出(chū)端电压耐压(yā)范围更(gèng)宽;

    • CMTI抗干扰能力更加(jiā)出众;

    • 工作(zuò)温度(dù)更宽。

    73658cad990cec26959d22da9a34a87.png

    图3. SLMi350的性(xìng)能比较

    结论

    目前(qián),SLMi350已经在变频器,逆变器,UPS,感应加(jiā)热等不同领域(yù)客户测试通过,现可进(jìn)行大批量供应, 欢(huān)迎广大(dà)客户朋友到九州网页版和数明官网进行样品或评(píng)估板的申(shēn)请(qǐng)。


    搜索
    公司新闻 媒体报道(dào) 活动信息
    推荐阅读
    '
    上海九州网页版和数明半导体有(yǒu)限公(gōng)司招聘相关(guān)严正声明!

    上(shàng)海九州网页版和数明半导体有限公司(sī)招(zhāo)聘(pìn)相关严(yán)正(zhèng)声明!

    2025-01-21
    新品发布(bù)丨SiLM266x系列(liè) 高压电池组前端充/放电高边NFET驱动器

    新品发布(bù)丨SiLM266x系列(liè) 高压电池组前端(duān)充/放电高(gāo)边NFET驱动器

    2023-08-30
    资质(zhì)加(jiā)持丨九州网页版和数明半(bàn)导体获得 ISO 26262 功(gōng)能安全管理体系 ASIL D 等级认证证(zhèng)书(shū)

    资质加持(chí)丨九州网页版和数明半导体获得 ISO 26262 功能安全管理体系(xì) ASIL D 等级(jí)认证证书

    2023-08-24

    九州网页版-九州(中国)_九州(中国)

    九州网页版-九州(中国)_九州(中国)