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SLM2003E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典（diǎn）型应用图

产品（pǐn）概述

SLM2003E 是一款高（gāo）压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的高压集成电（diàn）路（lù）和锁存（cún）免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级（jí），以减小驱动器（qì）交叉导（dǎo）通。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的（de）N型沟（gōu）道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可（kě）高达（dá）200V。

产品特性

为自举操作设（shè）计的浮动（dòng）通道

完全运行（háng）时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间（jiān）负（fù）电压（yā），不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间匹配传输延迟

输出信号与输（shū）入信号同相

通过无铅（qiān）认证