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SLM2005E

200V低压驱动（dòng）芯片

样片申请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认证（zhèng）

典型应用图

产品（pǐn）概述

SLM2005E 是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技（jì）术可提供可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输入电平与标（biāo）准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持（chí）3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以（yǐ）减（jiǎn）小驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可用（yòng）于驱动（dòng）高边配置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电（diàn）压可高达200V。

产品特（tè）性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道（dào）

完全运行时（shí）电压高（gāo）达 200V

容许（xǔ）瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围从（cóng） 10V 到 18V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻（luó）辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通（tōng）逻辑

两通（tōng）道间匹（pǐ）配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅（qiān）认证（zhèng）