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SLM2015

160V低压驱动芯片（piàn）

样片申（shēn）请

SLM2015 Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应用（yòng）图

产品概述

SLM2015 是（shì）一款高压、高速（sù）的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有的高压集（jí）成电（diàn）路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的（de）单芯片驱（qū）动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有高脉冲电（diàn）流缓冲级，以（yǐ）减小驱（qū）动器交（jiāo）叉导（dǎo）通。浮动通道可用于驱（qū）动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作（zuò）设计的浮动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容（róng）许瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入（rù）兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配（pèi）传输延迟

输出（chū）信号（hào）与输入（rù）信号同（tóng）相

通过无铅认证（zhèng）