SLM21867是一款高压、高速（sù）的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器，它提（tí）供独立（lì）的高边（biān）、低边输出驱动信（xìn）号。采用专有的高（gāo）压集成（chéng）电路（lù）和锁存免疫CMOS技（jì）术（shù），提供可（kě）靠的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器（qì）具有高脉冲（chōng）电（diàn）流缓冲级，以（yǐ）减小驱动器交叉导通。延（yán）时匹配很方便应用于（yú）高频（pín）设备。浮动通道可用于（yú）驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。
为自举供电设计的浮动通道
全电（diàn）压范围运行达600V
低（dī）VCC工作范围
允许瞬态负电压（yā），不受dV/dt影响
驱动电源范围从7V到20V
欠（qiàn）压闭锁
3.3V、5V逻辑兼容
输入有（yǒu）下拉（lā）电阻（zǔ）的COMS斯密特触发器（qì）
两通道间匹配（pèi）传输延时
输入（rù）输出（chū）同相
典型开通/关（guān）断延时：170ns/170ns
典（diǎn）型（xíng）驱动电流：2.5A/3.5A
400 080 9938
