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SiLM2014A

200V低压驱动芯片

样片申请

SiLM2014A_Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应用图

产品概述（shù）

SiLM2014A 是一款高压、高速（sù）的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻（luó）辑输（shū）入（rù）电平与（yǔ）标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低支持（chí）3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器（qì）具有高脉冲（chōng）电流缓（huǎn）冲（chōng）级，以减小驱（qū）动器交叉导通。浮动通道可（kě）用（yòng）于驱动（dòng）高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压（yā）可（kě）高达200V。

产品特性

为（wéi）自（zì）举操作（zuò）设计的浮动通道

完全运行时（shí）电压高达（dá） 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱（qū）动（dòng）电源范（fàn）围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输入兼容（róng）

驱（qū）动（dòng）电流：1A/1.5A

防止交叉导通（tōng）逻辑（jí）

两通道间匹配（pèi）传（chuán）输（shū）延迟

输出信号与输入信（xìn）号同相

通过无（wú）铅（qiān）认证