SiLM27512器件是单通道高速低边门（mén）极驱动器，可有（yǒu）效（xiào）驱（qū）动MOSFET和（hé）IGBT等功（gōng）率开关。SiLM27512采用一种能够从内部极大的降低（dī）直（zhí）通电流的设计，将高峰值的（de）源（yuán）电流和（hé）灌（guàn）电流（liú）脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨（guǐ）的驱动能力和典型（xíng）值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情况下，能够提供4A的峰值（zhí）源（yuán）电流和5A的峰（fēng）值灌电流。
低成本的（de）门极驱动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器（qì）件方案
4A 的峰值（zhí）源电（diàn）流和5A的峰（fēng）值灌（guàn）电流能（néng）力
快速（sù）的传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升（shēng）和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范（fàn）围
VDD 欠（qiàn）压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输（shū）入逻辑电压（yā）阈值
双输入设计(可（kě）选择反（fǎn）相（xiàng）或非反相驱动配置)
输入浮（fú）空时输出（chū）保持为低（dī）
工作温度范围（wéi）为（wéi） -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装（zhuāng）选项
400 080 9938
