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    SiLM27517H
    单通道 20V, 4A/5A 高（gāo）欠压保护（hù）低边（biān）门极驱动器
    样片申请
    SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet
    产品（pǐn）概述
    产品特（tè）性
    安规认证
    典型应（yīng）用图
    产品概述（shù）

    SiLM27517H 系列是单通道高欠压保护低（dī）边（biān）门极驱（qū）动器（qì），可（kě）有效驱动MOSFET和IGBT等功率开（kāi）关。SiLM27517H 采用一种（zhǒng）能够从（cóng）内部（bù）极大的降低直通（tōng）电流的设计（jì），将高峰值的源电流和灌电流脉冲提（tí）供给电容负载，以实现（xiàn）轨到（dào）轨的驱动（dòng）能力和典型（xíng）值仅为 18ns 的极（jí）小传播延迟。

    SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰（fēng）值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流。SiLM27517H 欠压锁（suǒ）定保护 (UVLO)12.5/11.5V。


    产品特性

    低成本的门极驱（qū）动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

    4A的峰（fēng）值源电流和 5A 的（de）峰值灌电（diàn）流能力

    快速的传播（bō）延时（典型值（zhí）为 18ns）

    快速（sù）的上升和下降时（shí）间（典型值（zhí）为 9ns/6ns）

    13.5V 到 20V 的（de）单电源范（fàn）围

    SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

    兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输（shū）入逻辑（jí）电压阈值

    双输入设计（jì）(可选（xuǎn）择反相（xiàng）或非反相驱动配置)

    输入浮空时输出保持为（wéi）低

    工作温（wēn）度范围为（wéi） -40°C 到 140°C

    SiLM27517H 提（tí）供 SOT23-5 的（de）封（fēng）装选（xuǎn）项

    安（ān）规（guī）认证（zhèng）
    典（diǎn）型（xíng）应用（yòng）图

    图（tú）层 6.png

    产品参数（shù）表

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    Part Number Power Switch IOH/IOL(A) Input VCC (V) Prop. Delay（ns） Tr/Tf Typ. (ns) Operating Temp（℃） Package Group Packing/QTY
    SiLM27517HAD-7GIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
    SiLM27517HAD-AQIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-5Reel/3000
    应用案例

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